Küresel bellek teknolojileri pazarının lider ismi Samsung Electronics, sektörde bir ilke imza atarak HBM4 standardında ticari sevkiyatlara başladı. NVIDIA’nın ‘Vera Rubin’ ve AMD’nin ‘Instinct MI450’ gibi yeni nesil veri merkezi işlemcilerinde kullanılacak olan bu yüksek performanslı bellekler, yapay zeka altyapılarında verimlilik çıtasını yukarı taşıyor.
10 NANOMETRE SINIFINDA SEKTÖR LİDERİ PERFORMANS
Samsung, üretim sürecinde 6. nesil 10 nanometre (nm) sınıfı DRAM prosesini (1c) kullanarak herhangi bir yeniden tasarıma ihtiyaç duymadan istikrarlı bir verim elde etti. HBM4, saniyede 11,7 gigabit (Gbps) işlem hızı sunarak, selefi HBM3E’ye oranla 1,22 katlık bir artış sağlıyor. Özel konfigürasyonlarla 13 Gbps hıza kadar çıkabilen bu teknoloji, saniyede 3,3 terabayt (TB/s) bant genişliğiyle veri transferinde rekor kırıyor.
ENERJİ VERİMLİLİĞİNDE YÜZDE 40 İYİLEŞME
Şirket, 12 katmanlı istifleme teknolojisiyle 24 GB ve 36 GB seçeneklerini pazara sunarken, 16 katmanlı (16-Hi) mimari ile kapasiteyi 48 GB’a kadar genişletiyor. Veri giriş/çıkış (G/Ç) pin sayısının 2.048’e yükselmesiyle ortaya çıkan ısınma sorunları, gelişmiş 4nm mantık işleme ve optimize edilmiş güç dağıtım ağları (PDN) ile çözüldü. Bu inovatif yaklaşım;
STRATEJİK TEDARİK ZİNCİRİ VE GELECEK VİZYONU
Samsung, 2026 yılına gelindiğinde HBM satışlarının 2025’e oranla üç kattan fazla artacağını öngörüyor. Şirketin Dökümhane ve Bellek birimleri arasındaki entegre tasarım teknolojisi (DTCO), üretim döngülerini kısaltırken kalite standartlarını güvence altına alıyor.
HBM4’ün piyasaya arzının ardından, 2026 yılının ikinci yarısında ‘HBM4E’ numune üretimine başlanması, 2027 yılında ise müşteriye özel ‘Custom HBM’ çözümlerinin devreye alınması planlanıyor. Bu yol haritası, Samsung’un yapay zeka odaklı veri merkezi pazarındaki hakimiyetini perçinleme kararlılığını gösteriyor.
