Samsung, 2027'ye kadar HBM4 üretimini 2,5 kat artırmayı planlıyor

Samsung, yapay zeka veri merkezlerinin yüksek bant genişlikli belleklere yönelik artan talebi karşılamak amacıyla yeni nesil HBM4 üretim kapasitesini genişletiyor. Üretimdeki artış, HBM çiplerinin montajında ve DRAM plakalarının sabitlenmesinde kullanılan cam taşıyıcı siparişlerine de yansıyor. Kore medyasına yansıyan tedarik zinciri bilgilerine göre şirket, 2026’da aylık 20 bin birim seviyesinde bulunan cam taşıyıcı tedarikini 2027’de 2,5 kat artırarak aylık 50 bin birime çıkarmayı planlıyor.

TEDARİK 5 KAT

Samsung’un cam taşıyıcı kullanımı son iki yılda hızlı bir artış gösteriyor. 2025’te aylık yaklaşık 10 bin birim olan tedarik hacmi 2026’da 20 bin birime yükselirken, 2027 için belirlenen 50 bin birimlik hedef 2025 seviyesinin beş katına karşılık geliyor. HBM üretiminde montaj öncesinde DRAM plakalarının sabitlenmesinde kullanılan cam taşıyıcılar, artan üretim hacminin önemli yardımcı bileşenleri arasında yer alıyor. Tedarikteki yükseliş, Samsung’un HBM4 tarafında daha yüksek seri üretim kapasitesine hazırlandığını gösteriyor.

VERA RUBIN ODAĞI

Samsung’un HBM4 üretim planlarının odağında NVIDIA’nın yeni nesil 'Vera Rubin' yapay zeka GPU mimarisi bulunuyor. Şirket, üst düzey yapay zeka hızlandırıcılarının performans gereksinimlerini karşılamak amacıyla geliştirdiği HBM4 numunelerini doğrulama testleri için NVIDIA’ya teslim etti. HBM modüllerinin en altında yer alan ve genel performans üzerinde doğrudan etkili olan temel bellek kalıbının üretim kapasitesi de bu hazırlık kapsamında artırılıyor.

4 NM ÜRETİM

Samsung, HBM4’ün temel bellek kalıbını geleneksel olarak mantık çiplerinde kullanılan 4 nanometrelik üretim süreciyle üretmeyi planlıyor. Bu tercih, bellek tarafındaki üretimle şirketin mantık dökümhanesi kapasitesini aynı ürün mimarisinde buluşturuyor. HBM4’ün ihtiyaç duyduğu daha karmaşık işlevleri karşılamak amacıyla temel kalıbın ileri üretim süreçlerinde hazırlanması, Samsung’un dökümhane altyapısını HBM pazarındaki konumunu güçlendirmek için kullanmasına imkan sağlıyor.

2 NM HEDEFİ

Şirket, HBM taban kalıplarının sonraki nesillerinde daha ileri üretim teknolojilerine geçmeye de hazırlanıyor. Yapay zeka pazarındaki talebin önümüzdeki yıllarda devam edeceği öngörüsüyle Samsung, bu bileşenlerin üretiminde 2 nanometre sürecini hedefliyor ve buna yönelik özel üretim hatları tahsis ediyor. Böylece HBM mimarisinde 4 nanometreden daha ileri litografi teknolojilerine geçiş için altyapı oluşturuluyor.

ENTEGRE ÜRETİM

Cam taşıyıcıların montaj öncesinde plakaları sabitlemesi, üretim sırasında oluşabilecek firelerin azaltılmasına yardımcı oluyor. Samsung bu yapıyı, bellek üretimi ile dökümhane kapasitesini aynı şirket bünyesinde birleştiren üretim modeliyle destekliyor. HBM4 için 4 nanometrelik temel kalıp üretimi, gelecekte planlanan 2 nanometrelik süreç ve cam taşıyıcı tedarikindeki hızlı artış, şirketin yapay zeka veri merkezlerine yönelik yüksek bant genişlikli bellek üretimini daha büyük ölçeğe taşımaya hazırlandığını gösteriyor.