Akıllı telefonlarda cihaz içi yapay zeka uygulamaları giderek daha fazla yer bulurken, bellek üreticileri performans sınırlamalarını aşmak için yeni teknolojiler geliştiriyor. Samsung’u geride bırakarak sektörün öncüsü haline gelen SK Hynix, mobil DRAM tasarımında Kalıplama Bileşiği (Encapsulation Compound) kullandığını açıkladı. Bu yöntem sayesinde bellek yongalarının ısıl iletkenliği yüzde 350 oranında artırıldı.
TERMAL DİRENÇTE GELİŞME
Şirketin açıklamasına göre, yeni DRAM’lerde ısının dikey kaynağındaki termal direnç yüzde 47 oranında azaldı. Normalde anakart tasarımlarında DRAM yongaları, işlemci yonga setinin üzerine yerleştiriliyor. Bu yöntem veri aktarım hızını artırırken, yoğun iş yüklerinde aşırı ısınmaya yol açabiliyordu. SK Hynix’in geliştirdiği yeni bileşik, bu sorunun büyük ölçüde önüne geçmeyi amaçlıyor.
DAHA UZUN PİL ÖMRÜ
Şirket, bu yenilik sayesinde akıllı telefonların hem performansının hem de pil ömrünün artacağını belirtiyor. SK Hynix Paket Ürün Geliştirme Başkanı Lee Gyu-jei, bu gelişmeyi ‘anlamlı bir başarı’ olarak tanımladı. Gyu-jei, yeni teknolojinin özellikle amiral gemisi akıllı telefon kullanıcılarının yaşadığı aşırı ısınma sorunlarını çözebileceğini vurguladı.
TEKNOLOJİ 2026’DA GELİYOR
The Korea Herald’ın aktardığına göre, SK Hynix ekibi silika içine alümina ekleyerek epoksi kalıplama bileşiğinin ısı iletimini artırmayı başardı. Böylece daha verimli bir ısı transferi sağlandı. Yeni DRAM yongalarının piyasaya çıkışına dair kesin bir tarih açıklanmadı, ancak 2026’da amiral gemisi akıllı telefonlarda kullanılması bekleniyor.
