Intel, 1 milyonuncu High-NA EUV test wafer'ını üretti
UBS raporlarına göre Intel, gelişmiş ambalajlama teknolojisi EMIB-T ile High-NA EUV litografisinde üretim kapasitesini artırıyor. Şirketin bu iki alandaki ilerlemesi, yapay zeka çipleri için dökümhane ve ambalajlama tarafındaki rekabet gücünü destekliyor.
Intel’in uzun süredir yürüttüğü üretim ve dökümhane dönüşümü, gelişmiş ambalajlama ve litografi tarafında yeni sonuçlar vermeye başladı. UBS’nin SEMICON Taiwan raporuna göre şirketin EMIB-T mimarisi, özellikle yeni nesil yapay zekaişlemcilerinde artan talebe yanıt verecek şekilde ölçekleniyor. Intel aynı zamanda High-NA EUV litografisinde üretim testlerini hızlandırarak ileri süreç teknolojilerindeki konumunu güçlendirmeye çalışıyor.
MEDIATEK TALEBİ
UBS’nin öngörülerine göre EMIB-T teknolojisi, 2028 yılında MediaTek’in TPU v9 talebi için 2 milyondan fazla substratı destekleyebilecek kapasiteye ulaşacak. Google’ın birincil tasarım ortağı olan MediaTek’in, 2 nanometre mimarisine sahip “Humufish” ve daha gelişmiş “Triggerfish” serisi yapay zeka çiplerinde bu altyapıyı kullanması bekleniyor. Bu talebin Intel’in dökümhane ve gelişmiş ambalajlama gelirlerine katkı sağlaması öngörülüyor.
EMIB-T MİMARİSİ
Intel’in EMIB teknolojisi, organik substrat içine gömülen silikon köprülerle farklı çipleri yüksek yoğunluklu mikro tümsekler üzerinden birbirine bağlıyor. EMIB-T ise bu yapıya Silikon İçi Geçiş Kanalları ekleyerek dikey güç ve sinyal iletimine imkan tanıyor ve 3D istifleme kapasitesini genişletiyor. Sistem, Ibiden, Shinko, Unimicron ve AT&S gibi tedarikçilerin ürettiği organik paneller ile Ajinomoto Build-up Film katmanlarını kullanıyor.
MALİYET AVANTAJI
UBS değerlendirmelerine göre EMIB-T, TSMC’nin CoWoS çözümüne kıyasla yaklaşık yüzde 50 daha düşük maliyet sunabiliyor. Bu fark, yüksek hacimli yapay zeka çiplerinin ambalajlanmasında Intel’i çip tasarımcıları açısından daha cazip bir alternatif haline getiriyor. TSMC ise panel düzeyindeki CoPoS teknolojisiyle maliyet ve ölçek tarafında rekabeti sürdürmeye hazırlanıyor.
HIGH-NA EUV
Intel, High-NA EUV litografisini üretim hatlarında kullanarak 1 milyonuncu test yongasını ürettiğini açıkladı. Samsung ve TSMC bu teknolojiyi üretim süreçlerine entegre etmeye hazırlanırken Intel’in test tarafında daha ileri bir aşamada olduğu belirtiliyor. High-NA EUV, daha küçük yapıların daha az çoklu desenleme adımıyla basılmasını hedefliyor. Bu da özellikle 3 nanometre altındaki geometrilerde işlem karmaşıklığını azaltarak maliyet ve üretim verimliliği açısından avantaj sağlayabilir.