Şanghay’daki Fudan Üniversitesi’nden araştırmacılar, veri yazım hızında dünya rekoru kıran yeni bir flaş bellek cihazı geliştirdi. “PoX” adı verilen bu cihaz, verileri yalnızca 400 pikosaniyede (saniyenin trilyonda biri) programlayabiliyor. Bu da onu, şimdiye kadar geliştirilen en hızlı yarı iletken şarj depolama aygıtı haline getiriyor.
BELLEKTE HIZ DEVRİMİ
Yeni cihaz saniyede 25 milyar işlem gerçekleştirebiliyor ve bu performansıyla benzer teknolojilerde önceki dünya rekorunu tam 100.000 kat geride bırakıyor. Bu gelişme, özellikle yapay zeka gibi yüksek işlem gücü ve veri aktarım hızına ihtiyaç duyan alanlar için kritik bir dönüm noktası olabilir.
UÇUCUDAN KALICIYA GEÇİŞ
Geleneksel statik ve dinamik RAM türleri hızlı olsalar da geçici yapıları nedeniyle güç kesintisinde veri kaybına yol açıyor. Flash bellekler ise verileri kalıcı olarak saklayabiliyor ancak hız açısından genellikle geride kalıyor. PoX, bu farkı ortadan kaldırarak her iki dünyanın en iyi yönlerini bir araya getiriyor.
GRAFEN TABANLI YAKLAŞIM
PoX’un bu olağanüstü performansına ulaşmasının arkasında, klasik silikon yerine grafen bazlı malzeme kullanılması yatıyor. Fudan Üniversitesi’nden araştırmacılar, Dirac bant yapısı ve ‘süper enjeksiyon’ adı verilen bir mekanizmayla neredeyse sınırsız yük akışı sağlamayı başardı. Bu yöntem, grafik tabanlı yapıların balistik taşıma özelliklerinden yararlanılarak geliştirildi.
YAPAY ZEKA İÇİN ÇÖZÜM
AI modelleri büyüdükçe, işlem gücünün yanında veriye hızlı ve verimli erişim ihtiyacı da artıyor. PoX, yalnızca hız değil, aynı zamanda düşük enerji tüketimi avantajı da sunarak büyük veri kümelerinin gerçek zamanlı işlenmesini mümkün kılıyor. Bu, yapay zeka donanımında sıklıkla karşılaşılan enerji ve hız darboğazlarını aşmak için umut verici bir adım.
