SK hynix, “SK AI Summit 2025” kapsamında yeni nesil bellek teknolojilerine yönelik 2026-2031 dönemini kapsayan kapsamlı yol haritasını duyurdu. Yapay zekaya özel geliştirilen HBM, DRAM ve NAND çözümlerinin yanı sıra HBM5, GDDR7-next, DDR6 ve 400+ katmanlı 4D NAND gibi ürünler şirketin hedefinde.
Yol haritası iki ayrı faza ayrılıyor, 2026-2028 ve 2029-2031 arası. İlk fazda HBM4 ve HBM4E sürümleriyle birlikte özelleştirilmiş HBM tasarımları yer alıyor. Bu özel çözümlerle, HBM denetleyicisinin taban kalıba taşınarak hem performans artışı hem de enerji tasarrufu hedefleniyor.
GÜÇLÜ ORTAKLIK STRATEJİSİ
SK hynix, özel HBM tasarımlarını hayata geçirmek için TSMC ile stratejik iş birliğine gidecek. Bu adım, GPU ve ASIC üreticilerinin işlem gücünü artırmalarını sağlarken, veri aktarımındaki enerji tüketimini düşürerek sistem verimliliğine katkı sağlayacak.
Gelecek nesil DRAM çözümleri arasında LPDDR6, LPDDR5X SOCAMM2, MRDIMM Gen2, LPDDR5R ve 2. Nesil CXL LPDDR6-PIM gibi yapay zeka uyumlu ürünler yer alıyor. NAND tarafında ise PCIe Gen5 ve Gen6 SSD’ler, UFS 5.0 ve yapay zekaya özel “AI-N” NAND’lar öne çıkıyor.
2030’LARA BİR BAKIŞ
2029-2031 fazında ise çıta daha da yükseliyor. Bu dönemde HBM5 ve HBM5E çözümleri piyasaya sunulacak. Aynı zamanda geleneksel grafik belleklerini aşacak olan GDDR7-next ve masaüstü-dizüstü bilgisayarlar için DDR6 DRAM’ler tanıtılacak.
Özellikle GDDR7’nin mevcut versiyonunun 48 Gbps’ye kadar ulaştığı düşünüldüğünde, GDDR7-next’in performans beklentileri büyük. Bu teknoloji, GPU tarafında 2027-2028’e kadar tam kapasite kullanılmayacak olsa da hazırlıklar şimdiden başlamış durumda.
YAPAY ZEKAYA ÖZEL
SK hynix, yapay zeka çağının gereksinimlerini karşılamak üzere Full Stack AI Memory konseptini hayata geçiriyor. Bu kapsamda üç ana çözüm öne çıkıyor:
NAND cephesinde ise 400+ katmanlı 4D NAND ürünleri ve “Yüksek Bant Genişlikli Flash” (HBF) çözümleri ile yapay zeka çıkarım uygulamalarında performans artışı hedefleniyor.
