CXMT, HKMG teknolojisiyle ileri DRAM üretimine hazırlanıyor
Çinli DRAM üreticisi CXMT, sızıntı akımını azaltan Yüksek-k Metal Kapı teknolojisini transistörlerinde kullanmaya başladı. Şirket, üretim kapasitesini artırırken 1a ve daha ileri DRAM süreçlerine geçişi hızlandırmayı hedefliyor.
Çinli bellek üreticisi ChangXin Memory Technologies, DRAM yongalarındaki sızıntı akımını ve enerji kaybını azaltmaya yönelik Yüksek-k Metal Kapı teknolojisini transistörlerinde uygulamaya başladı. Şirket, silikon dioksit yalıtım katmanlarının küçülme sürecinde kuantum tünellemesi nedeniyle ortaya çıkan elektrik kaçağı sorununu hafniyum oksit kullanarak azaltmayı amaçlıyor. HKMG altyapısının G4 DRAM süreci ve LPDDR5X ürünlerine uygulanması, CXMT’nin 1a ve daha ileri üretim düğümlerine geçişinde önemli bir aşama olarak görülüyor.
HKMG MİMARİSİ
CXMT, geleneksel silikon tabanlı yalıtkanların yerine daha yüksek dielektrik sabitine sahip hafniyum oksit kullanırken, polisilikon kapı elektrotlarını da özel metal yığınlarıyla değiştiriyor. Bu yapı, aynı voltaj seviyesinde daha fazla elektrik yükünün depolanmasına imkan tanıyor. “Polisilikon tükenmesi” olarak bilinen elektriksel verimsizliği azaltan HKMG mimarisi, milyarlarca hücreden oluşan DRAM dizilerinde akım sızıntısını ve ısı kaybını düşürürken transistörlerin anahtarlama hızını artırıyor. G4 ve LPDDR5X ürünlerinde kullanılan teknoloji, şirketin 15 nanometrelik G5 DRAM sürecine yönelik çalışmalarını da destekliyor.
ÜRÜN YOLU
CXMT, gelişmiş bellek ürünlerindeki çalışmalarını HBM ve DDR6 tarafında da sürdürüyor. Şirket, 18 nanometrelik G3 DRAM altyapısıyla üçüncü nesil HBM2E yongalarında riskli üretim aşamasına geçerken, G4 süreci üzerinde HBM3 örneklemelerine devam ediyor. Ar-Ge doğrulama aşamasını tamamlayan DDR6 belleklerin de seri üretime yaklaştırıldığı belirtiliyor. Samsung, SK hynix ve Micron ise 10 nanometre altındaki D0a düğümlerine geçiş çalışmalarını sürdürürken, transistör ve kapasitörlerin dikey istiflendiği 4F² hücre mimarisi ile 3D DRAM teknolojilerine odaklanıyor.
KAPASİTE ARTIŞI
CXMT, mevcut aylık 200 bin wafer üretim kapasitesini yıl sonuna kadar 300 bin seviyesine çıkarmayı ve bunun 50 bin wafer’lık bölümünü HBM üretimine ayırmayı planlıyor. Şanghay ve Hefei’de inşası süren iki yeni fabrikayla toplam kapasitenin aylık 600 bin wafer’a yükseltilmesi hedefleniyor. Şirket ayrıca 2026-2031 döneminde kapasitesini her yıl 100 bin wafer artırarak aylık 800 bin wafer seviyesine ulaşmayı öngörüyor. CXMT’nin uzun vadeli hedefi, 2030’a kadar üretim hacminde Micron’u geride bırakmak.