Yarı iletken pazarında A14 ve 14A savaşı: TSMC Intel'e 7,5 kat kapasite farkı atacak

TSMC, 2 nanometrenin altındaki çip üretim teknolojilerine geçiş için A14 hazırlıklarını sürdürüyor. Tayvan merkezli DigiTimes’ın sektör raporuna göre şirket, 2027’nin ikinci yarısındaki risk üretiminin ardından 2028’in ilk yarısında 1,4 nanometre sınıfındaki süreçle tam ölçekli seri üretime başlamayı planlıyor.

Hsinchu Bilim Parkı’ndaki Fab 20 ve Merkez Tayvan Bilim Parkı’ndaki Fab 25 tesisleri, A14 üretiminin ana merkezleri olarak konumlandırılıyor. Yeni süreçte üretim kapasitesinin artırılmasının yanı sıra SRAM hücrelerinin küçültülmesi, transistör yoğunluğu ve enerji verimliliğinin geliştirilmesi hedefleniyor.

INTEL 14A İLE KAPASİTE REKABETİ

Rapordaki projeksiyonlara göre TSMC’nin 2028’deki kurulu A14 üretim kapasitesi, Intel’in 14A kapasitesinin 7,5 katına ulaşacak. Bu farkın, yeni nesil üretim süreçlerine yönelik müşteri talebinin karşılanmasında ve pazar payı dağılımında etkili olması bekleniyor.

TSMC’nin A14 kapasitesinde Apple gibi uzun vadeli müşterilerinin yeni nesil işlemcilerine öncelik verilmesi öngörülüyor. Fason üretim faaliyetlerini büyütmek isteyen Intel ise 14A süreciyle Tesla, NVIDIA, Amazon ve Google gibi şirketlerin yapay zeka hızlandırıcılarına yönelik taleplerini karşılayabilecek bir müşteri portföyü oluşturmayı hedefliyor.

SRAM HÜCRE ALANINDA KÜÇÜLME

Güney Kore merkezli ETNews’in aktardığı teknik verilere göre TSMC, A14 ile SRAM hücrelerinin ölçeklenmesinde yeni bir aşamaya geçecek. N5 olarak adlandırılan 5 nanometre sürecinden bu yana SRAM bit hücre alanını küçültemeyen şirketin, sekiz yılın ardından bu alanı 0,021 mikrometrekareden 0,017 mikrometrekareye indirmesi bekleniyor.

Raporda, bu küçülmenin TSMC’yi SRAM hücre boyutu ve bellek yoğunluğunda sektörün önüne taşıyacağı belirtiliyor. Daha küçük hücreler, aynı silikon alanına daha fazla bellek yerleştirilmesine imkan sağlayacak.

Karşılaştırmada, seri üretimdeki Intel 18A sürecinin 0,021 mikrometrekare SRAM hücre alanı ve milimetrekare başına 38,1 megabit yoğunluk sunduğu aktarılıyor. TSMC’nin 2 nanometre sınıfındaki süreçlerine yakın olan bu değerlerin, A14 için öngörülen hücre boyutunun gerisinde kalacağı ifade ediliyor.

HIZ, ENERJİ VE MANTIK YOĞUNLUĞU HEDEFLERİ

A14 sürecinin, aynı güç tüketiminde yüzde 15 daha yüksek saat hızı ve enerji verimliliğinde yüzde 30’a varan iyileşme sağlaması hedefleniyor.

TSMC, ikinci nesil GAAFET nanosheet transistör teknolojisini ‘NanoFlex Pro’ standart hücre mimarisiyle birleştirecek. Bu yapıyla N2 sürecine kıyasla mantık yoğunluğunun yüzde 20’ye kadar artırılması planlanıyor.

Yeni mimari, çip tasarımcılarına performans, güç tüketimi ve silikon alanı arasında farklı ihtiyaçlara uygun tasarımlar geliştirme zemini sunacak.

CADENCE TASARIM ARAÇLARINI SERTİFİKALANDIRDI

Pilot üretim hazırlıkları ve fabrika yatırımları için gerekli yasal onay süreçleriyle birlikte, A14’ün tasarım araçları üzerindeki çalışmalar da ilerliyor.

Elektronik tasarım otomasyonu şirketi Cadence, TSMC A14 için yazılım araç setinin sertifikasyonunu tamamladı. Araçların, çip tasarımcılarının geliştirme ve doğrulama süreçlerini 2,5 kat hızlandırmasına olanak sağladığı belirtiliyor.